[发明专利]胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201610329649.7 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106167683A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;三隅贞仁;高本尚英;大西谦司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;B32B27/08;B32B27/20;B32B27/26;B32B27/36;B32B27/30;B32B27/38;B32B27/42;B32B3/04;B32B3/14;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的目的在于提供可以减少接合线周边的空隙、并且可以减少突出的胶粘薄膜。本发明的目的还在于提供包含所述胶粘薄膜的切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜等。本发明涉及一种胶粘薄膜等，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。 | ||
| 搜索关键词： | 胶粘 薄膜 切割 胶带 体型 多层 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610329649.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
