[发明专利]布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件有效
申请号: | 201610329900.X | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN106169439B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 金田中;金永培;金钟三;朴镇亨;安正勋;吴赫祥;李敬雨;李孝善;张淑禧 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括:基板;下绝缘层,在基板上;下布线,在下绝缘层中;第一蚀刻停止层,覆盖下布线并包括含金属的电介质材料;以及第二蚀刻停止层,在第一蚀刻停止层和下绝缘层上;绝缘夹层,在第二蚀刻停止层上;以及导电图案,延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。 | ||
搜索关键词: | 布线 结构 形成 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种布线结构,包括:基板;下绝缘层,在所述基板上;下布线,在所述下绝缘层中;多层蚀刻停止层,覆盖所述下布线和所述下绝缘层,其中在所述下布线上的所述多层蚀刻停止层的厚度大于在所述下绝缘层上的所述多层蚀刻停止层的厚度,所述多层蚀刻停止层包括:第一蚀刻停止层,覆盖所述下布线并包括含金属的电介质材料;和第二蚀刻停止层,在所述第一蚀刻停止层和所述下绝缘层上;绝缘夹层,在所述第二蚀刻停止层上;以及导电图案,延伸穿过所述绝缘夹层、所述第二蚀刻停止层和所述第一蚀刻停止层以电连接到所述下布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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