[发明专利]一种改善RFLDMOS深沟槽金属填充形貌的方法

摘要

本发明提供一种改善RFLDMOS深沟槽金属填充形貌的方法，包括如下步骤：1)用光刻胶定义深沟槽刻蚀阻挡层介质膜的尺寸宽度；其中深沟槽刻蚀阻挡层介质膜由氧化膜/氮氧化硅/氧化膜三层叠加而成；2)深沟槽刻蚀阻挡层介质膜刻蚀；3)去除光刻胶；4)淀积的氧化膜；在淀积氧化膜时，打开的深沟槽刻蚀阻挡层介质膜的侧壁形成氧化膜层；5)进行氧化膜回刻，在介质膜侧壁形成氧化膜侧墙；6)深沟槽刻蚀，刻蚀深度为8～12μm；刻蚀时，在氧化膜侧墙下面各形成钻蚀；7)湿法腐蚀、清洗，并造成氧化膜侧墙的氧化膜损失；8)金属填充。本发明可以减弱钻蚀效应，改善深沟槽金属填充的形貌，降低器件的导通电阻，提升器件的性能。

主权项

一种改善RFLDMOS深沟槽金属填充形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)用光刻胶定义深沟槽刻蚀阻挡层介质膜的尺寸宽度；其中深沟槽刻蚀阻挡层介质膜由氧化膜/氮氧化硅/氧化膜三层叠加而成；2)深沟槽刻蚀阻挡层介质膜刻蚀；3)去除光刻胶；4)淀积氧化膜；在淀积氧化膜时，打开的深沟槽刻蚀阻挡层介质膜的侧壁形成氧化膜层；5)进行氧化膜回刻，在深沟槽刻蚀阻挡层介质膜侧壁形成氧化膜侧墙；6)深沟槽刻蚀，刻蚀时，在氧化膜侧墙下面各形成钻蚀；7)湿法腐蚀、清洗，并造成氧化膜侧墙的氧化膜损失；8)金属填充。