[发明专利]一种梁式引线电容的加工方法有效
| 申请号： | 201610330701.0 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106024379B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 马子腾;许延峰;王进 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/005;H01G4/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种梁式引线电容的加工方法，包括以下步骤：步骤一：提供一镍板，采用溅射镀膜方法在所述镍板上形成一层TiW金属膜；步骤二：采用光刻的方法在所述镍板上形成一层聚酰亚胺介质膜；步骤三：采用溅射镀膜方法形成一层TiW/Au金属层结构，覆盖所述聚酰亚胺介质膜；步骤四：采用光刻电镀方法形成所述梁式引线电容的上、下电极；步骤五：采用光刻的方法选择性刻蚀所述镍板，保留所述镍板的机械支撑作用，并使所述上、下电极形成断路。本发明的目的是提供了一种加工更加简单的梁式引线电容的加工方法，与国外厂商相比，提高了生产效率，降低了成本，值得在生产中推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 电容 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种梁式引线电容的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：设置一镍板，采用溅射镀膜方法在所述镍板上形成一层TiW金属膜；步骤二：采用光刻的方法在所述镍板上形成一层聚酰亚胺介质膜；步骤三：采用溅射镀膜方法形成一层TiW/Au金属层结构，覆盖所述聚酰亚胺介质膜；步骤四：采用光刻电镀方法形成所述梁式引线电容的上、下电极的梁式引线；步骤五：采用光刻的方法选择性刻蚀所述镍板，保留所述镍板的机械支撑作用，并使所述梁式引线电容的上、下电极形成断路。
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