[发明专利]一种CMOS宽带有源移相器电路

摘要

一种CMOS宽带有源移相器电路，包括两路相互并行连接的双相可变增益放大器、三级多相滤波器、正交合成电路和相位控制电路，两路双相可变增益放大器分别作为I支路和Q支路的可变增益放大器，两路双相可变增益放大器的输出端分别连接三级多相滤波器的IQ输入端，三级多相滤波器的输出端与正交合成电路的输入端连接，相位控制电路的输出端分别与两路双相可变增益放大器及正交合成电路连接，两路双相可变增益放大器均连接输入端Sin_P和输入端Sin_N，正交合成电路连接输出端Sout_P和输出端Sout_N。本发明噪声系数低，移相范围可以覆盖0～360°，工作带宽较宽，能够达到一个倍频以上的工作宽带，生产成本更低，且更易于集成到以标准CMOS工艺实现的系统芯片里。

主权项

1.一种CMOS宽带有源移相器电路，其特征在于：它包括双相可变增益放大器(1)、三级多相滤波器(2)、正交合成电路(3)和相位控制电路(4)，所述双相可变增益放大器(1)有两路且相互并行连接，并行连接的两路双相可变增益放大器(1)分别作为I支路和Q支路的可变增益放大器，两路双相可变增益放大器(1)的输出端分别连接三级多相滤波器(2)的IQ输入端，所述三级多相滤波器(2)的输出端与正交合成电路(3)的输入端连接，相位控制电路(4)的输出端分别与两路双相可变增益放大器(1)及正交合成电路(3)连接，所述两路双相可变增益放大器(1)均连接输入端Sin_P和输入端Sin_N，所述正交合成电路(3)连接输出端Sout_P和输出端Sout_N，并行连接的两路双相可变增益放大器(1)包括场效应管M1_P、场效应管M3_P、场效应管M4_P、场效应管M5_P、场效应管M6_P、场效应管M7_P、场效应管M1_N、场效应管M3_N、场效应管M4_N、场效应管M5_N、场效应管M6_N、场效应管M7_N、场效应管M8、场效应管M9、电阻Rl_1、电阻Rl_2、电阻R3_P、电阻R4_P、电阻R3_N以及电阻R4_N，所述电阻R1_1一端接电源，其另一端与场效应管M5_P的漏极连接，所述电阻Rl_2一端接电源，其另一端与场效应管M6_N的漏极连接，所述场效应管M5_P的漏极和场效应管M5_N的漏极连接在一起构成输出端口OUT_P，所述场效应管M6_P的漏极和场效应管M6_N的漏极连接在一起构成输出端口OUT_N，所述场效应管M5_P的栅极、场效应管M6_P的栅极、场效应管M5_N的栅极以及M6_N的栅极连接在一起用于改变其栅极电平VC，实现电路增益控制，所述场效应管M5_P的源极与场效应管M3_P的漏极连接，所述场效应管M6_P的源极与场效应管M4_P的漏极连接，所述场效应管M5_N的源极与场效应管M3_N的漏极连接，所述场效应管M6_N的源极与场效应管M4_N的漏极连接，所述场效应管M3_P的栅极与场效应管M4_N的栅极连接在一起构成输入端口IN_P，所述场效应管M4_P的栅极与场效应管M3_N的栅极连接在一起构成输入端口IN_N，所述场效应管M3_P的源极与场效应管M4_P的源极同时与场效应管M1_P的漏极连接，所述场效应管M3_N的源极与场效应管M4_N的源极同时与场效应管M1_N的漏极连接，所述场效应管M7_P的源极、电阻R3_P的一端、场效应管M1_P的源极、场效应管M8的源极、场效应管M7_N的源极、电阻R3_N的一端以及场效应管M1_N的源极同时接地，所述电阻R4_P的一端、场效应管M9的源极以及电阻R4_N的一端同时接电源，所述场效应管M1_P的栅极、电阻R4_P的另一端以及电阻R3_P的另一端同时与场效应管M7_P的漏极连接，场效应管M1_N的栅极、电阻R4_N的另一端以及电阻R3_N的另一端同时与场效应管M7_N的漏极连接，所述场效应管M8的漏极和场效应管M9的漏极同时与场效应管M7_N的栅极连接，所述场效应管M8的栅极、场效应管M9的栅极以及场效应管M7_P的栅极同时与C_SW端口连接，所述输出端口OUT_P和输出端口OUT_N与三级多相滤波器(2)连接，所述C_SW端口与相位控制电路(4)连接。