[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201610330828.2 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105931986A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨璐;史大为;王文涛;司晓文;王金锋;徐海峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层；在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极。本发明通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层；在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610330828.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
