[发明专利]Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途

摘要

本发明涉及一种Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体易长大且透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

主权项

Cs2LiPO4非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体不含对称中心，属于正交晶系Cmc21空间群；1)将助熔剂和Cs2LiPO4化合物混合后置于晶体生长炉中，在750℃以上保温2小时以上，然后降温，得到所述的晶体，之后挑选用于生长晶体的籽晶；2)将助熔剂和所述的Cs2LiPO4化合物混合后置于晶体生长炉中，升温至750℃以上熔化成熔体，然后测试所述熔体的饱和温度，接着将熔体降温至饱和温度5℃以上，将装有籽晶的籽晶杆下移至与熔体表面接触，然后降温，待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，降温至室温，即得Cs2LiPO4非线性光学晶体；所述助熔剂是由Li2O和SiO2按照摩尔比为0.5‑1.5:0.1‑0.7混合而成；所述的助熔剂和所述的Cs2LiPO4化合物的摩尔比为1:0.5‑2.5。