[发明专利]一种太阳能发电装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种太阳能发电装置的制造方法，包括多个薄膜太阳能电池、M个N型半导体、M个P型半导体、导热底座、蓄电池单元、控制器单元、4M个温度传感器、水泵、N个电控阀门、N个水管；所述的N型半导体、P型半导体均呈“工”字型；所述的导热底座的储水空腔内交错设置有导流挡板；所述的N个水管的长度不相同，长度范围在5米到200米之间；所述的N型半导体和P型半导体间隔排列，并且相邻的N型半导体和P型半导体之间串联；所述的多个薄膜太阳能电池串联，然后与N型半导体和P型半导体串联，最后给蓄电池单元充电；本发明将太阳能发电和温差发电有效的结合，提供了一种利用太阳能和地热能的非常有效技术方案，发电效率更高。

主权项

一种太阳能发电装置的制造方法，其特征在于，包括多个薄膜太阳能电池、M个N型半导体、M个P型半导体、导热底座、蓄电池单元、控制器单元、4M个温度传感器、水泵、N个电控阀门、N个水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半导体、P型半导体均呈“工”字型；所述的导热底座呈方形，且内部设有储水空腔；在导热底座的左侧设有与储水空腔相连通的进水口，在导热底座的顶部设有与储水空腔相连通的出水口；在储水空腔的前侧内壁和后侧内壁之间交错设置有导流挡板，且导流挡板与进水口的进水方向相垂直；导流挡板的上边缘与储水空腔顶部内壁间隔范围在1～2厘米之间；所述的N个水管的长度不相同，长度范围在5米到200米之间；第一步：所述的N型半导体和P型半导体间隔排列，并且相邻的N型半导体和P型半导体之间串联；所述的多个薄膜太阳能电池串联，然后与N型半导体和P型半导体串联，最后给蓄电池单元充电；第二步：N型半导体、P型半导体的上表面和下表面均设置温度传感器，温度传感器与控制器单元电连接；第三步：多个薄膜太阳能电池通过导热硅胶粘在N型半导体、P型半导体的上表面，并且薄膜太阳能电池与N型半导体、P型半导体的接触面绝缘；所述的导热底座的上表面通过导热硅胶粘在N型半导体、P型半导体的下表面；第四步：所述的N个水管均垂直于地面，并且埋于地面以下；所述的水管分别通过电控阀门连接水泵的进水口，水泵的出水口连接导热底座的进水口；所述的电控阀门的控制端均连接控制器单元的IO端口，同时控制器单元控制水泵的启动和停止。