[发明专利]磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201610333092.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105826814A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;许峰;罗帅;高凤;季海铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基窄脊 波导 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；步骤2：以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；步骤3：将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；步骤4：剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；步骤5：在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；步骤6：将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；步骤7：将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610333092.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
