[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201610333169.8 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN106169454A | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 郭怡茵;黄铭杰;林锡坚 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/52;H01L21/60 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含:晶片、绝缘层、流动材料绝缘层以及导电层。晶片具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面,侧面位于第一表面与第二表面之间,导电垫位于第一表面下,并凸出于侧面。绝缘层覆盖第二表面与侧面,而流动材料绝缘层位于绝缘层下,并具有缺口暴露凸出于侧面的导电垫。导电层位于流动材料绝缘层下,并延伸至缺口中接触导电垫。本发明能够提升晶片封装体内部线路间的绝缘性。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包含:晶片,具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面,该侧面位于该第一表面与该第二表面之间,该导电垫位于该第一表面下,并凸出于该侧面;绝缘层,覆盖该第二表面与该侧面;流动材料绝缘层,位于该绝缘层下,且该流动材料绝缘层具有缺口,该缺口暴露凸出于该侧面的该导电垫;以及导电层,位于该流动材料绝缘层下,并延伸至该缺口中接触该导电垫。
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