[发明专利]具有主体下拉的场效应晶体管

摘要

一种场效应晶体管(FET)包括第一漏极、第二漏极、主体和栅极区。所述栅极区具有一定长度，并且被配置并布置成响应栅电压建立通道，所述通道在所述主体中，在所述第一漏极和所述第二漏极之间且沿着所述栅极区的所述长度。多个主体下拉位于所述栅极区中，并且沿着所述栅极区的宽度间隔开。为了偏置的目的，所述主体下拉中的每个主体下拉被配置并布置成提供与所述主体的电接触。

主权项

一种设备，其特征在于，包括：场效应晶体管(FET)，所述场效应晶体管(FET)包括：第一漏极；第二漏极；主体；栅极区，所述栅极区具有一定长度，并且被配置并布置成响应于栅电压建立通道，所述通道在所述主体中，在所述第一漏极和所述第二漏极之间且沿着所述栅极区的所述长度；以及多个主体下拉，所述多个主体下拉在所述栅极区中，并且沿着所述栅极区的宽度间隔开，所述多个主体下拉中的每个主体下拉被配置并布置成提供与所述主体的电接触。