[发明专利]一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610333959.6 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN105977318A 公开(公告)日: 2016-09-28
发明(设计)人: 薛玉明;王玉昆;孙海涛;宋殿友;夏丹;冯少君;俞兵兵;张奥 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法,衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,其中苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm,聚酰亚胺膜厚度为25‑30μm,生长于此种复合衬底表面的铜铟镓硒薄膜,化学分子式为CuIn1‑xGaxSe2,式中x为0.25‑0.35,导电类型为p型;该铜铟镓硒薄膜CuIn1‑xGaxSe2薄膜沉积于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底表面,厚度为1.5‑2μm。本发明的优点是:该基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶质量好、晶粒较大、缺陷较少,利用钢性衬底制备柔性太阳电池;其制备方法简单、易于实施,有利于大规模的推广应用。
搜索关键词: 一种 基于 复合 衬底 掺钠铜铟镓硒 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜,其特征在于:化学分子式为CuIn1‑xGaxSe2,式中x为0.25‑0.35,导电类型为p型;该铜铟镓硒薄膜CuIn1‑xGaxSe2薄膜沉积于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底表面,厚度为1.5‑2μm。
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