[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制程方法

摘要

本发明公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池，包含一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙；其中，第一糙化表面以及第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，金字塔纹理化结构的金字塔宽度在5微米至15微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。借由无异丙醇的变温纹理化碱蚀刻，该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。

主权项

一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，该N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体基板的能隙；其中，该第一糙化表面以及该第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，该金字塔纹理化结构的金字塔宽度在 5 微米至15 微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。