[发明专利]包括垂直传输门的图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201610335191.6 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106549027B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 俞景东;李庚寅 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有改善的特性的图像传感器。根据本发明的一个实施例的图像传感器可以包括：光电转换元件，形成在衬底内；传输门，形成在光电转换元件之上，形成在衬底的第一表面之上，并且具有至少一个通孔，其中通孔穿过传输门；浮置扩散层，形成在传输门之上；沟道结构，形成在通孔内，并且响应于施加给传输门的信号将光电转换元件电耦接到浮置扩散层；以及电容器，形成在浮置扩散层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 垂直 传输 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器包括：光电转换元件，形成在衬底内；传输门，形成在光电转换元件之上，形成在衬底的第一表面之上，并且具有至少一个通孔，其中通孔穿过传输门；浮置扩散层，形成在传输门之上；沟道结构，形成在通孔内，并且响应于施加给传输门的信号将光电转换元件电耦接到浮置扩散层；以及电容器，形成在浮置扩散层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610335191.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
