[发明专利]一种新型P+侧墙无结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种P⁺侧墙无结器件,由双栅极、源区、漏区、沟道区、栅介质层、P⁺侧墙以及隔离层组成。对于传统无结器件来说，当栅极长度降低到10纳米时，泄露电流会变得很大，因此抑制泄露电流的大小就成为了小尺寸器件的重要任务。对于传统无结器件来说，仅仅依靠栅极的控制能力已经无法有效的控制器件在关闭状态下的关闭电流，本发明可以形成PN结耗尽，帮助器件耗尽，同时当器件开启时，栅极会控制P⁺区，使PN结耗尽减弱，因此不会影响开启电流。新型P⁺侧墙三栅纳米线无结器件相比于传统无结器件具有很大的优势，这种优势在栅极长度很小时尤为明显。新型器件主要可以提高传统无结器件的亚阈值斜率，开关电流比等特性。

主权项

1.一种新型P+侧墙无结场效应晶体管，其特征在于：包括双栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、沟道区(4)、栅介质层(5)、P+侧墙(6)以及隔离层(7)；其中，所述双栅极(1)位于沟道区(4)上下位置，并保持上下对称，栅介质层(5)位于双栅极(1)沟道区(4)之间，双栅极(1)的一侧设有P+侧墙(6)，P+侧墙(6)为上下对称结构，双栅极(1)与P+侧墙(6)之间设有隔离层(7)，P+侧墙(6)与源区(2)直接接触。