[发明专利]磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法有效
| 申请号： | 201610336431.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106169533B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | K.普吕格尔;W.拉贝格;A.施特拉泽;H.温特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 设备 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造磁阻设备的方法，所述方法包括：/n在基底上沉积磁阻堆叠、蚀刻停止层和掩模层；/n执行第一蚀刻过程以蚀刻所述掩模层的部分来暴露所述蚀刻停止层的部分；以及/n执行第二蚀刻过程以蚀刻所述蚀刻停止层的暴露的部分和磁阻堆叠的部分；/n其中所述第一蚀刻过程与所述第二蚀刻过程不同，并且所述蚀刻停止层被配置为与所述掩模层相比具有减小的对所述第二蚀刻过程的抵抗力。/n
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