[发明专利]包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置在审
| 申请号： | 201610336434.8 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106169464A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | M.巴特尔斯;M.莱姆克;R.鲁道夫;S.特根;R.魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/73;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;张涛 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功率 晶体管 电压 限制 装置 布置 | ||
【主权项】：
在半导体本体中的晶体管布置，所述晶体管布置包括：具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在所述半导体本体的半导体鳍中；具有至少两个器件单元的电压限制器件；其中每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，其中所述电压限制器件通过介电层与所述功率晶体管分开。
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