[发明专利]设备兼容的晶硅电池刻蚀方法和PERC电池酸抛光方法有效
| 申请号： | 201610338062.2 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106024970B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张娟;李高非;王继磊;付少剑;黄金;白炎辉 | 申请（专利权）人： | 晋能清洁能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 033000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及多晶及单晶PERC太阳能电池的制造方法，具体是一种设备兼容的晶硅电池刻蚀方法和PERC电池酸抛光方法。其晶硅电池刻蚀方法是在晶硅生产线设备中，设置RENA机刻蚀槽内材料配比，刻蚀槽初配HFHNO3体积比为14.5~7；循环补液量每100pcs补液HFHNO3体积比为13~5，刻蚀槽开启水膜保护；其中，使用的硝酸的质量百分比浓度为70%，氢氟酸的质量比浓度为49%；采用刻蚀高减薄量方法刻蚀，刻蚀机带速为2.3~2.6m/min。本发明能够兼容常规晶规生产线设备，在不改动刻蚀设备且不增加抛光设备条件下能够完成晶硅电池刻蚀和PERC电池酸抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 兼容 电池 刻蚀 方法 perc 抛光 | ||
【主权项】：
一种设备兼容的晶硅电池刻蚀方法和PERC电池酸抛光方法，其特征是：在晶硅生产线设备中，设置RENA机刻蚀槽内材料配比，刻蚀槽初配HF:HNO3体积比为1:4.5~7；循环补液量每100pcs补液HF:HNO3体积比为1:3~5，刻蚀槽开启水膜保护；其中，使用的硝酸的质量百分比浓度为70%，氢氟酸的质量比浓度为49%；采用刻蚀高减薄量方法刻蚀，刻蚀机带速为2.3~2.6m/min，将扩散后硅片以0.8~1.4 m/min的带速通过刻蚀机，完成抛光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能清洁能源科技有限公司，未经晋能清洁能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610338062.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
