[发明专利]一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件有效
| 申请号： | 201610338199.8 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105932062B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王颖;王祎帆;于成浩;曹菲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括P型衬底、埋氧层、埋氧场板、顶层硅、横向多晶硅栅、源电极、漏电极、金属电极及栅氧化层；本发明的SOI LDMOS器件，具有源、漏埋氧场板，漏埋氧场板的引入屏蔽了漏区N+区域下的漂移区，使得器件的纵向电压由漏埋氧场板下的埋氧层承担。源埋氧场板的引入增强了器件的体耗尽并调制了器件的横向电场分布，从而提高了器件的击穿电压并降低了导通电阻。另外，由于埋氧场板取代了一部分埋氧层且多晶硅的热导率大于二氧化硅，所以本申请可以有效的改善器件的自加热效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 埋氧场板 soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件，包括P型衬底(1)、埋氧层(2)、沟道区(5)、漂移区(6)、源极P+区域(7)、源极N+区域(8)、漏极N+区域(9)、源极(12)、漏极(13)、栅极(15)和栅氧化层(14)；其特征在于：还包括源埋氧场板(3)、漏埋氧场板(4)、第一连接金属(10)、第二连接金属(11)；埋氧层(2)内设有源埋氧场板(3)和漏埋氧场板(4)；漏极(13)通过第一连接金属(10)与漏埋氧场板(4)连接，源极(12)通过第二连接金属(11)与源埋氧场板(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610338199.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅红外检光器的结构及其制作方法
- 下一篇：一种平面栅IGBT及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
