[发明专利]一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法有效
| 申请号： | 201610338812.6 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107400920B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张思敏;夏洋;卢维尔;程嵩;李楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法，属于半导体技术领域，本发明实施例通过将清洗好的衬底放入反应腔室中；开启罗茨泵和前级泵，并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，在加热的过程中吹载气；当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时，关闭载气，并开启分子泵；当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时，关闭所述分子泵，并打开载气；当所述样品盘温度在第一温度范围内变化，且，所述载气通道和所述腔室壁在第二温度范围内变化时，开始后续沉积工艺的技术手段，实现了较好制备单晶氧化锌薄膜的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 单一 氧化锌 预处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法，其特征在于，所述方法包括：将清洗好的衬底放入反应腔室中；开启罗茨泵和前级泵，并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，在加热的过程中吹载气；当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时，关闭载气，并开启分子泵；当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时，关闭所述分子泵，并打开载气；其中，所述第二预定温度高于所述第一预定温度；当所述样品盘温度在第一温度范围内变化，且，所述载气通道和所述腔室壁的温度在第二温度范围内变化时，开始后续沉积工艺；所述并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，还包括：设定所述样品盘加热目标温度为第一目标温度；设定所述腔室壁加热目标温度为第二目标温度；第一预定温度小于第二目标温度，且第二目标温度减去第一预定温度的差值在10‑20℃；第二预定温度等于所述第二目标温度；所述第一温度范围为所述第一目标温度*(1±1.5％)；所述第二温度范围为所述第二目标温度*(1±0.3％)。
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