[发明专利]一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610339077.0 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105908127B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 邵国胜;郭美澜;韩小平;胡俊华 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 62％～70％，其余为Sn和掺杂元素；所述掺杂元素为B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种，掺杂元素的原子数为Sn与掺杂元素原子总数的3％～6％。本发明的p型掺杂二氧化锡透明导电膜，采用B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种掺杂二氧化锡，形成的透明导电膜为稳定p型半导体，平均可见光透过率达80％以上，最优电阻率可达10‑4Ω.cm，其成分简单，光电性能优异，制备工艺灵活，易于生产，可广泛应用于太阳能电池、功能窗户等多种光电器件，市场前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜，其特征在于：该透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 62%～70%，其余为Sn和掺杂元素；所述掺杂元素为Al、Ga中的任意一种，掺杂元素的原子数为Sn与掺杂元素原子总数的3%～6%；所述透明导电膜由包括如下步骤的方法制得：以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上反应溅射沉积薄膜，即得；其中，反应溅射所用的靶材为Sn与掺杂元素的合金靶材，所述合金靶材中掺杂元素的原子数为Sn与掺杂元素原子总数的3%～6%；在所述溅射沉积薄膜前，通入高纯氧气，使对应溅射气压为0.4Pa，待靶材电流和气压均稳定后，开始反应溅射沉积薄膜；采用远源等离子体溅射技术在衬底上反应溅射沉积薄膜后，进行了退火处理；所述退火处理的温度为220～300℃，保温时间为5～15min。
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