[发明专利]磁隧道结以及磁存储器有效
| 申请号： | 201610339183.9 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106025063B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张博宇;赵巍胜;廖宇 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道结MTJ，其特征在于，从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：/n所述第一铁磁层、所述第二铁磁层和所述第三铁磁层均包括混合金属材料，所述势垒层包括金属氧化物材料，所述缓冲层包括非铁磁材料；所述MTJ采用自旋轨道矩SOT实现所述第三铁磁层的磁化方向的翻转；所述混合金属材料包括赫斯勒合金；/n所述第一铁磁层的磁化方向为固定方向，所述第二铁磁层与所述第三铁磁层形成反铁磁耦合，所述缓冲层的厚度为0.1～1nm，所述非铁磁材料包括钽、钌、钨、钒、铜、铌、铱、钼、铬中的任一种；/n当所述重金属层中注入电流时，所述重金属层中自旋方向不同的电子向与电流垂直的方向移动，分别在所述重金属层底部及所述重金属层与第三铁磁层之间的界面积累，形成垂直自旋流，从而在所述重金属层与所述第三铁磁层之间产生自旋轨道矩SOT；其中，所述第三铁磁层与所述重金属层之间产生的自旋轨道矩SOT的方向与所述第三铁磁层的磁化方向不共线。/n
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