[发明专利]基座组件及反应腔室有效
申请号: | 201610339336.X | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN107403750B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 徐奎;陈鹏;郭浩 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的基座组件及反应腔室,其包括基座本体和压环,基座本体包括用于承载晶片的承载面,并且在基座本体内设置有背吹管路,用以向承载面与晶片下表面之间的间隙输送热交换气体。压环压住晶片上表面的边缘区域,以将晶片固定在基座本体上,并且,基座本体的承载面的中心区域相对于边缘区域凸起。本发明提供的基座组件,可以在压环压住晶片上表面的边缘区域时,使晶片弯曲变形,直至与承载面的形状一致,从而可以使晶片下表面的边缘处与承载面更贴合,进而可以减少承载面与晶片下表面之间的间隙内的热交换气体的泄漏,从而可以提高对晶片的冷却效果。 | ||
搜索关键词: | 基座 组件 反应 | ||
【主权项】:
一种基座组件,包括基座本体和压环,所述基座本体包括用于承载晶片的承载面,并且在所述基座本体内设置有背吹管路,用以向所述承载面与所述晶片下表面之间的间隙输送热交换气体;所述压环压住所述晶片上表面的边缘区域,以将所述晶片固定在所述基座本体上,其特征在于,所述基座本体的承载面的中心区域相对于边缘区域凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造