[发明专利]基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器在审

专利信息
申请号: 201610340016.6 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN105842785A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 陈颖;田亚宁;朱奇光;赵志勇;罗佩 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 代理人: 李合印
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器,其结构主要由光学基底材料和光子晶体多层膜构成,其中光子晶体多层膜由两种不同多孔率的多孔硅A、B通过其中一种多孔硅层的物理厚度变化而形成啁啾结构基础单元并重复N个周期来构成,其结构为[A/B1/A/B2/…/A/Bi]N。对于不同多孔率的A和B,在每个周期中,A层物理厚度a不变,B层物理厚度b1,b2,…bi成等差数列排列。采用电化学阳极腐蚀法制备多孔硅光子晶体,通过控制电化学阳极腐蚀的电流密度和腐蚀时间来实现啁啾结构。本发明与二维、三维光子晶体和传统滤波器相比,制备工艺简单,损耗低,可提供多个高透射率的滤波通道,在光通信系统和光子器件及系统中可发挥重要作用。
搜索关键词: 基于 啁啾 多孔 光子 晶体 通道 滤波器
【主权项】:
一种基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器,包括光学基底材料,其特征在于:还包括多孔硅光子晶体多层膜,所述多孔硅光子晶体多层膜由两种不同多孔率的多孔硅A、B通过其中一种多孔硅层的物理厚度变化而形成啁啾结构基础单元并重复N个周期来构成,其结构表示为[A/B1/A/B2/.../A/Bi]N,其中,A表示每个周期中多孔硅A层为固定层,B1,B2…,Bi表示每个周期中多孔硅B层的物理厚度变化形成的各变化层,i为结构参数,N为周期数,所述多孔硅A、B根据电化学腐蚀原理制备,通过调节多孔硅光子晶体多层膜的物理厚度、结构参数和入射角θ,可获得需要的多通道滤波器,多通道滤波器的通道数可通过改变周期数N来调节。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学,未经燕山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610340016.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top