[发明专利]基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法有效
| 申请号： | 201610340161.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106021727B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈爱新;赵柯褀;赵越;刘欣;苏东林;吴文斌 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/392 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，包括：针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。本方法能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等效 多端 射频 综合 模块 电磁 特性 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，其特征在于，包括：/n针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；/n针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；/n根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计；/n其中，所述针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括：对于芯片内部产生的同步转换噪声SSN，采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立射频综合系统中芯片的等效电路模型；建立射频综合系统中PCB走线的电路模型；建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型；建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型；基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。/n
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