[发明专利]一种基于开放位线结构的动态存储器有效
| 申请号： | 201610340431.1 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105895147B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;段会福;俞冰;谈杰 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4097 | 分类号： | G11C11/4097;G11C11/4094;G11C11/408 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于开放位线结构的动态存储器，包括译码器电路、灵敏放大器阵列以及多个双存储单元，译码器电路包括结构相同的第一译码单元和第二译码单元，第一异或门电路的一个输入端接外部地址信号RA<0>，第一异或门电路的另一个输入端接cfg_dualcell信号，第一反相器的输出端控制存储单元阵列模块中一个双存储单元的一根字线WL开启，第二异或门电路的一个输入端接外部地址信号RA<0>的反信号/RAI<0>，第二异或门电路的另一个输入端接cfg_dualcell信号，第二反相器的输出端控制存储单元阵列模块中一个双存储单元的另一根字线WL开启。克服了能耗高、可靠性低的技术问题，本发明显著改善了动态存储器的数据保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 开放 结构 动态 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于开放位线结构的动态存储器，包括译码器电路、存储单元阵列模块以及灵敏放大器阵列，其特征在于：所述存储单元阵列模块包括多个双存储单元，所述译码器电路包括第一译码单元和第二译码单元，所述第一译码单元包括依次连接的第一异或门电路和第一反相器，所述第二译码单元包括依次连接的第二异或门电路和第二反相器，所述第一异或门电路的一个输入端接外部地址信号RA<0>，所述第一异或门电路的另一个输入端接cfg_dualcell信号，所述第一反相器的输出端控制存储单元阵列模块中一个双存储单元的一根字线WL开启，所述第二异或门电路的一个输入端接外部地址信号RA<0>的反信号/RAI<0>，所述第二异或门电路的另一个输入端接cfg_dualcell信号，所述第二反相器的输出端控制存储单元阵列模块中一个双存储单元的另一根字线WL开启。
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