[发明专利]一种低功耗的静态随机存储器及其写操作的控制方法

摘要

本发明涉及一种低功耗的静态随机存储器及其写操作的控制方法，包括存储阵列、字线译码与驱动器、位线预充电与均衡器、写驱动器、写控制电路以及灵敏放大器，写控制电路产生位线预充电信号PRE、位线均衡信号EQ和写使能信号WE，位线预充电与均衡器包括NMOS晶体管N0、NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2，位线预充电信号PRE连接NMOS晶体管N0和NMOS晶体管N1的栅端，位线均衡信号EQ连接NMOS晶体管N2的栅端，NMOS晶体管N0的源端和NMOS晶体管N1的源端均连接位线预充电电源；写使能信号WE连接写驱动器。本发明解决了现有的静态随机存储器写操作能耗高的技术问题，本发明每一次写操作所消耗的位线翻转功耗为0.5·CBL·VCC²，相比传统的技术的CBL·VCC²，减少了50％。

主权项

1.一种低功耗的静态随机存储器，包括存储阵列、字线译码与驱动器(104)、位线预充电与均衡器、写驱动器、写控制电路(102)以及灵敏放大器，其特征在于：所述写控制电路(102)产生位线预充电信号PRE、位线均衡信号EQ和写使能信号WE，所述位线预充电与均衡器包括NMOS晶体管N0、NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2，位线预充电信号PRE连接NMOS晶体管N0和NMOS晶体管N1的栅端，位线均衡信号EQ连接NMOS晶体管N2的栅端，位线BL连接NMOS晶体管N0的漏端和NMOS晶体管N2的源端，位线反BL_N连接NMOS晶体管N1的漏端和NMOS晶体管N2的漏端，NMOS晶体管N0的源端和NMOS晶体管N1的源端均连接位线预充电电源；所述位线预充电电源为静态随机存储器电源电压VCC的二分之一；写使能信号WE连接写驱动器；从位线均衡信号EQ变高到位线预充电信号PRE变高为均衡阶段；位线均衡信号EQ拉高时，位线预充电与均衡器中的NMOS晶体管N2导通，位线BL和位线反BL_N发生电荷分享，最终位线反BL_N和位线BL都位于VCC/2。