[发明专利]一种喷淋头及其等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种喷淋头，其用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述衬底的方向喷淋，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉积速率。本发明的喷淋头及等离子体处理装置有效提高了反应气体在所述衬底上的沉积速率均匀性。

主权项

1.一种喷淋头，用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述衬底的方向喷淋，其特征在于，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉积速率，所述区域位置及区域形状是指所述喷淋头具有圆形的出气面，所述出气面包括第一区域和第二区域，所述第一区域为内嵌三角形阵列，所述第二区域为内嵌三角形外的弧阵列，所述第一通孔在所述出气面上形成若干第一出气口，所述第一出气口形成于所述第一区域，所述第二通孔在所述出气面上形成若干第二出气口，所述第二出气口形成于所述第二区域。