[发明专利]倍增区控制的雪崩光电二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610341389.5 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105957908A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 廖雅香;李传波;薛春来;成步文;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低额外增益噪音的倍增区控制的雪崩二极管及其制造方法。该雪崩二极管包括衬底(1)，在衬底(1)的上方形成有增益层(4)、电荷控制层(5)和吸收层(7)，吸收层(7)位于增益层(4)的上方，电荷控制层(5)位于增益层(4)和吸收层(7)之间。其中，所述增益层是由三个不同掺杂类型和掺杂浓度的倍增区组成。本发明具有实现高增益的同时，降低器件额外增益噪音的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 倍增 控制 雪崩 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种倍增区控制的雪崩光电二极管，包括衬底(1)，在衬底(1)的上方形成有增益层(4)、电荷控制层(5)和吸收层(7)，吸收层(7)位于增益层(4)的上方，电荷控制层(5)位于增益层(4)和吸收层(7)之间，其特征在于，所述增益层是由三个不同掺杂类型和掺杂浓度的In0.48Al0.52As形成的PN结构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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