[发明专利]配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法有效
| 申请号： | 201610341803.2 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106981428B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 小林良弘;田丸裕仁;中岛贵士;石川树一郎 | 申请（专利权）人： | 麦克赛尔株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法。[课题]在于提供：即使随着凸块的微小化及窄间距化而缩小突起部的外形尺寸的情况下，仍在耐久性方面优异、可长期间使用的配列用掩膜。[解决手段]一种配列用掩膜，将焊球(2)撒入至对应于既定的配列图案的通孔(12)内，从而将前述焊球(2)搭载于工件(3)上的既定位置，具备具有通孔(12)的掩膜主体(10)、及设于掩膜主体(10)的与工件(3)的对向面侧的突起部(15)，突起部(15)由在耐久性方面优异的树脂而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 配列用掩膜 及其 制造 方法 焊料 形成 | ||
【主权项】：
一种配列用掩膜，将焊球(2)撒入至对应于既定的配列图案的通孔(12)内，从而将前述焊球(2)搭载于工件(3)上的既定位置，特征在于：具备具有前述通孔(12)的掩膜主体(10)、及设于前述掩膜主体(10)的与前述工件(3)的对向面侧的突起部(15)，前述突起部(15)由在耐久性方面优异的树脂所形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于麦克赛尔株式会社，未经麦克赛尔株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610341803.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
