[发明专利]基于薄膜的扇出及多晶粒封装平台有效
| 申请号： | 201610342168.X | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106169427B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | S·杰韦勒 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及基于薄膜的扇出及多晶粒封装平台，其所揭示乃基于薄膜的扇出晶圆级封装及其制造方法。具体实施例包括一种方法，该方法包括在聚合物膜的第一表面中形成锥形通孔；在半导体装置的第一表面上形成导电柱；将导电铜柱的可焊接表面接合至该聚合物膜的第二表面上的金属化物；以底部填充材料包覆该导电柱将该半导体装置接合至该聚合物膜的该第一表面；以及在该半导体装置及聚合物膜上方沉积封装材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 多晶 封装 平台 | ||
【主权项】：
1.一种制作薄膜结构的方法，其包含：在聚合物膜的第一表面中形成锥形通孔，该聚合物膜的第二表面有金属化物；在半导体装置的第一表面上形成导电柱；将该导电柱的可焊接表面接合至该聚合物膜的该第二表面上的该金属化物；以底部填充材料包覆该导电柱将该半导体装置接合至该聚合物膜的该第一表面；该底部填充材料与各导电柱的多个面直接接触及填充各锥形通孔的剩余部分；以及在该半导体装置及聚合物膜上方沉积封装材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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