[发明专利]半导体发光装置在审
| 申请号： | 201610342174.5 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106206889A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 金明河;林璨默 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光装置，其具有通过包括分离层的反射器提供的提高的光提取效率。分离层可介于包括具有不同折射率的一对或多对折射层的第一布拉格层与第二布拉格层之间，第一对堆叠在分离层的一侧上，第二对堆叠在分离层的另一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：衬底，其包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面；发光结构，其布置在衬底的第一表面上，所述发光结构包括第一导电类型的半导体层、有源层以及第二导电类型的半导体层；以及反射器，其包括第一布拉格层、分离层和第二布拉格层，其中第一布拉格层、分离层和第二布拉格层按次序布置在衬底的第二表面上，其中，第一布拉格层包括交替堆叠的第一多层，第一多层中的每一层的折射率与第一多层中的其他每一层的折射率不同，其中，第二布拉格层包括交替堆叠的第二多层，第二多层中的每一层的折射率与第二多层中的其他每一层的折射率不同，并且其中，分离层的厚度大于第一多层中的各层和第二多层中的各层的厚度。
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