[发明专利]一种顶栅结构及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板以及显示设备有效
| 申请号： | 201610342275.2 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105845721B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟;宋泳锡;张建业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种顶栅结构及其制备方法，所述顶栅结构包括栅绝缘层以及位于其上方的栅极层，所述栅绝缘层采用光固化有机硅材料制备而成。本发明进一步涉及包含所述顶栅结构的薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。本发明通过采用光固化有机硅材料制备栅绝缘层，并提供优化的制备方法，可以减小偏移区，避免了偏移区增大导致的薄膜晶体管电学性能下降等问题，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 以及 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅结构的方法，顶栅结构包括栅绝缘层以及位于其上方的栅极层，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用光固化有机硅材料制备所述栅绝缘层；(2)在所述栅绝缘层的外侧涂布与所述光固化有机硅材料热膨胀系数不同的固化材料，固化后，在所述栅绝缘层与所述固化材料形成的平面上，采用溅射法涂布制备栅极层所用的金属；(3)将与所述光固化有机硅材料热膨胀系数不同的固化材料及其上方的金属剥离，即可。
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