[发明专利]一种贵金属纳米晶负载CuSbS2纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 201610343133.8 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106040263B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;蒋妍;童正夫;蒋良兴;韩璐 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B01J27/045 | 分类号： | B01J27/045 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种贵金属纳米晶负载铜锑硫纳米晶的制备方法，该方法为先将贵金属盐通过液相还原法制备贵金属纳米晶，所述贵金属纳米晶采用导电聚合物钝化剂进行表面钝化处理；将表面钝化的贵金属纳米晶、铜盐及锑盐，溶解混合，得到混合液；将含硫源的溶液加入到所述混合液中反应，即得贵金属纳米晶负载CuSbS2纳米晶，该方法针对贵金属纳米晶负载于铜锑硫纳米晶中存在的热力学和催化动力学等方面的问题提出了解决方案，所得复合材料有优异的光催化性能，可应用于光解水、光催化分解有机物及光电催化中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 纳米 负载 cusbs sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贵金属纳米晶负载CuSbS2纳米晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)贵金属盐通过液相还原法制备贵金属纳米晶；2)所述贵金属纳米晶采用导电聚合物钝化剂进行表面钝化处理；所述的导电聚合物为氧化聚丙烯、聚偏二氯乙烯、聚三氟氯乙烯、聚乙二醇中的至少一种；3)将表面钝化的贵金属纳米晶、铜盐及锑盐，溶解混合，得到混合液；4)将含硫源的溶液加入到所述混合液中反应，即得贵金属纳米晶负载CuSbS2纳米晶。
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