[发明专利]一种红外图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型红外图像传感器，包括：P型硅衬底、第一CMOS、第二CMOS、红外光电二极管、硅基光电二极管。本发明将可探测红外光波的红外光电二极管组成的第一感光单元，与可探测可见光的硅基光电二极管组成的第二感光单元，可按多种矩阵排列在图像传感器CIS的感光阵列，从而可实现同时对可见光、红外光的探测，光电成像。将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于硅衬底表面形成的深沟槽内，形成可探测红外光波的红外光电二极管，结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理，给出可以实现高度集成、低成本的红外图像传感器，本装置集成度高、加工成本低、稳定性好、适合大规模的生产。

主权项

1.一种红外图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在P型硅衬底(1)上形成第一CMOS(2)和红外光电二极管(3)；S2：在P型硅衬底(1)上形成第二CMOS(5)和硅基光电二极管(4)；所述步骤S1具体包括如下步骤：S11：在P型硅衬底(1)上依次形成栅氧层和栅极多晶硅；S12：在栅极多晶硅的上方旋涂第一光刻胶(41)，干法刻蚀获取栅氧层(211)和栅极多晶硅(212)形成的栅极(21)，去除残留光刻胶；S13：在所述栅氧层(211)和所述栅极多晶硅(212)的两侧、所述P型硅衬底(1)的上部注入源极离子和漏极离子，形成源极(22)和漏极(23)；S14：在P型硅衬底(1)的上表面和所述栅极(21)的上表面旋涂第二光刻胶(42)和第三光刻胶(43)，干法刻蚀获取第一区域(51)，去除残留光刻胶；S15：将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于所述第一区域(51)内，形成由硫化锌层(31)和碲镉汞层(32)组成的红外光电二极管(3)；S16：在硫化锌层(31)上连接第一电极(33)，在碲镉汞层(32)上连接第二电极(34)，在栅极(21)上连接第三电极(24)，在源极(22)上连接第四电极(25)，在漏极(23)上连接第五电极(26)。