[发明专利]纳米二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610343696.7 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105932049B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张娜;杜晓东 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种纳米二极管器件及其制备方法。纳米二极管器件包括纳米半导体结构、分别位于纳米半导体结构的两端并与纳米半导体结构形成肖特基接触的两个电极、以及浮栅式电极，该浮栅式电极位于两个电极之间且与两个电极以及纳米半导体结构均是电学绝缘，其中浮栅式电极被设置为靠近两个电极中的一个电极。通过本申请的实施方式，能够在无需掺杂的情况下制备纳米二极管器件，由此实现纳米量级的二极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米二极管器件，包括：纳米半导体结构；两个电极，分别位于所述纳米半导体结构的两端并与所述纳米半导体结构形成肖特基接触；浮栅式电极，位于所述两个电极之间，且被设置为与所述两个电极以及所述纳米半导体结构均是电学绝缘的，其中，所述浮栅式电极被设置为靠近所述两个电极中的一个电极。
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