[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置有效
申请号: | 201610343891.X | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN105789442B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 孟虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置,用以解决现有技术中薄膜晶体管,其有源层采用一定直径分布的碳纳米管组成随机网络来形成空间分布均匀的薄膜,需要采用贵金属作为碳纳米管的源漏极,制作成本较高的问题。该薄膜晶体管包括:源电极,漏电极,以及由至少三种不同直径的碳纳米管构成的有源层;构成有源层沟道区域的碳纳米管的直径值最小;分别与源电极和漏电极接触的碳纳米管的直径相同且直径值最大;在最小直径的碳纳米管和最大直径的碳纳米管之间设置有至少一种不同直径的碳纳米管。本发明中三种直径的碳纳米管的价带形成阶梯,形成的能级缓冲层有利于空穴从电极到沟道的注入,进而可以采用普通金属作为源漏极,降低了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 制作方法 相应 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:源电极,漏电极,以及由至少三种不同直径的碳纳米管构成的有源层;其中,构成所述有源层的沟道区域的碳纳米管的直径值最小;分别与所述源电极和所述漏电极接触的碳纳米管的直径相同、且直径值最大;在最小直径的碳纳米管和最大直径的碳纳米管之间设置有至少一种不同直径的碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610343891.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择