[发明专利]一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法有效
申请号: | 201610343918.5 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN105932152B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 胡广达;闫静;蒋晓妹 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | H01L41/22 | 分类号: | H01L41/22;H01L41/39;C04B35/26 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 贾波 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法,该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极,或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极,对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜;所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理。本发明首次提出通过电极的选择提高铁电薄膜抗击穿能力的思路,并提供了可行的电极。所得铁电薄膜具有很强的抗击穿能力,漏电流很低,能测到薄膜的真实铁电性能,在未来铁电薄膜的制备过程和器件应用中都具有良好的前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 薄膜 抗击 能力 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法,其特征是:以金属铝片作为铁电薄膜的电极,或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极,对电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜;所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理;所述铁电薄膜为BiFeO3铁电薄膜、BiFeO3基铁电薄膜、PbTiO3铁电薄膜或PbTiO3基铁电薄膜。
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