[发明专利]包括多层玻璃芯的集成电路器件衬底及其制造方法有效
申请号: | 201610344776.4 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN105977234B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 马晴;C·胡;P·莫罗 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H05K3/42;H05K3/46 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开的是用于集成电路(IC)器件的衬底实施例。衬底包括由结合在一起的两个或更多分立玻璃层构成的芯。可以在相邻的玻璃层之间设置独立的结合层以将这些层耦合在一起。衬底还可以包括多层玻璃芯相对侧上,或者可能在芯的一侧的构造结构。可以在衬底的两侧上形成导电端子,IC管芯可以与衬底一侧上的端子耦合。相对侧的端子可以与下一级部件,例如电路板耦合。一个或多个导体贯穿多层玻璃芯,一个或多个导体可以与设置于芯上的构造结构电耦合。描述并主张了其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 包括 多层 玻璃 集成电路 器件 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底,包括:包括若干分立玻璃层的芯,所述芯具有第一表面和相对的第二表面;从所述第一表面到所述第二表面穿过所述芯延伸的若干导体;设置于所述芯的所述第一表面的至少一个电介质层和至少一个金属层,其中所述第一表面的所述至少一个金属层与所述导体中的至少一个电耦合;设置于所述芯的所述第二表面的至少一个电介质层和至少一个金属层,其中所述第二表面的所述至少一个金属层与所述导体中的至少一个电耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610344776.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分栅式快闪存储器的版图、掩膜版及制造方法
- 下一篇:一种微电子器件散热装置