[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201610344781.5 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN105932104A | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 陈星;刘可为;李炳辉;张振中;王潇;杨佳霖;申德振 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本申请公开了一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法,其中,氧化镓日盲紫外探测器的制备方法包括:将融化的金属镓旋涂于衬底表面;将表面涂覆有金属镓的衬底在预设温度条件焙烧第一预设时间,预设温度的取值范围为800‑1100℃,包括端点值,第一预设时间的取值范围为10‑200min,包括端点值;冷却衬底以及焙烧所得产物,在衬底表面形成金属镓层,以及位于金属镓层背离衬底一侧的β‑氧化镓纳米线阵列薄膜;在β‑氧化镓纳米线阵列薄膜背离金属镓层一侧表面形成金属层;引出金属层以及金属镓层分别作为第一探测电极和第二探测电极。整个制备过程的制备工艺简单、所需成本较低,且制备所得的氧化镓日盲紫外探测器的响应速度较快。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 镓日盲 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化镓日盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,包括:将融化的金属镓旋涂于衬底表面;将表面涂覆有金属镓的衬底在预设温度条件焙烧第一预设时间,所述预设温度的取值范围为800‑1100℃,包括端点值,所述第一预设时间的取值范围为10‑200min,包括端点值;冷却所述衬底以及焙烧所得产物,在所述衬底表面形成金属镓层,以及位于所述金属镓层背离所述衬底一侧的β‑氧化镓纳米线阵列薄膜;在所述β‑氧化镓纳米线阵列薄膜背离所述金属镓层一侧表面形成金属层;引出所述金属层以及所述金属镓层分别作为第一探测电极和第二探测电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的