[发明专利]按需填充的安瓿再填充有效
| 申请号： | 201610345105.X | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106169432B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 阮途安;伊什沃·兰加纳坦;尚卡尔·斯瓦米纳坦;阿德里安·拉沃伊;克洛伊·巴尔达赛罗尼;拉梅什·钱德拉塞卡拉;弗兰克·L·帕斯夸里;詹妮弗·L·彼得拉利亚 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及按需填充的安瓿再填充，公开了使用按需填充安瓿的方法和设备。所述按需填充安瓿可以在执行其它沉积工艺的同时用前体再填充安瓿。所述按需填充可以保持所述安瓿内的前体液位在较恒定的液位。可以计算所述液位以得到最佳头部体积。所述按需填充也可以保持所述前体在接近最佳前体温度的温度的温度。所述按需填充可以在由于用所述前体填充所述安瓿引起的所述前体的搅动最小地影响所述衬底沉积的所述沉积工艺的部分期间进行。通过使用按需填充可以提高衬底生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 安瓿 | ||
【主权项】：
一种用于填充衬底处理装置的安瓿的方法，其包括：(a)确定用液体前体填充所述安瓿的安瓿填充开始条件得到满足；(b)用前体填充所述安瓿，其中用所述前体填充所述安瓿与至少一个其它的衬底处理操作同时执行；(c)读取在所述安瓿中指示所述填充还没有完成的传感器液位；(d)确定二次填充停止条件得到满足；以及(e)响应于确定所述二次填充停止条件得到满足，停止用所述前体对所述安瓿的所述填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610345105.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
