[发明专利]一种化学机械研磨设备及化学机械研磨的方法在审
| 申请号： | 201610345152.4 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107414664A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学机械研磨设备及化学机械研磨的方法。所述方法包括在第一研磨盘上对基片进行第一研磨，其中所述基片划分为五个以上的研磨区域，研磨至所述研磨区域中的任何一个的基片厚度达到第一预定值，并比较所述研磨区域的基片厚度；在第二研磨盘上对所述基片进行第二研磨，根据比较的结果调节对所述研磨区域施加的压力比，直到所述研磨区域的基片厚度相等；以及在所述第二研磨步骤之后在所述第二研磨盘上对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。所述方法可以保证所述晶圆的边缘轮廓的性能，从而使整个晶圆具有更为均一的厚度，使得晶圆的良率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨的方法，其特征在于，所述方法包括：在第一研磨盘上对基片进行第一研磨，其中所述基片划分为五个以上的研磨区域，研磨至所述研磨区域中的任何一个的基片厚度达到第一预定值，并比较所述研磨区域的基片厚度；在第二研磨盘上对所述基片进行第二研磨，根据比较的结果调节对所述研磨区域施加的压力比，直到所述研磨区域的基片厚度相等；以及在所述第二研磨之后在所述第二研磨盘上对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。
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