[发明专利]晶体硅片纳米绒面结构及其制备方法

摘要

本发明涉及制绒领域，具体公开了一种晶体硅片纳米绒面结构的制备方法，其包括如下步骤：在晶体硅片的表面旋涂纳米银分散液将纳米银附于表面；然后蚀刻形成纳米绒面；再进行去金属银处理；最后进行绒面修饰。上述晶体硅片纳米绒面结构的制备方法，由于通过旋涂的方法将纳米银颗粒附在晶体硅片的表面，纳米银颗粒分布均匀，且纳米银颗粒的尺寸可控、不易团聚。在后续的刻蚀步骤中，在所有纳米银颗粒所在位置同时实现金属催化腐蚀，这样可以得到大小和深度都非常均匀的纳米绒面，从方法本质上确保了工艺的稳定性。另外，还便于与后续的扩散和钝化工艺匹配，进而可有效提高电池转化效率。本发明还公开了一种晶体硅片纳米绒面结构。

主权项

一种晶体硅片纳米绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在晶体硅片的表面旋涂纳米银分散液并干燥，使纳米银颗粒附于晶体硅片的表面；S2、对晶体硅片的表面进行蚀刻，形成纳米绒面；S3、对晶体硅片进行去金属银处理；S4、对晶体硅片的表面进行绒面修饰。