[发明专利]一种全熔高效多晶硅铸锭的方法有效
| 申请号： | 201610345926.3 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105803527B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑玉芹;武鹏;黄春来;张华利;吴义华 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种全熔高效多晶硅铸锭的方法，包括以下步骤：将混合有无机或有机成孔剂的形核源涂液涂覆在坩埚底部，形成疏松多孔的形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。上述方法中，形核源层制备过程中加入有无机或有机成孔剂，形成疏松多孔的形核源层，使硅液与底部形核源层接触面积增加，从而使全熔高效多晶底部形核点更多且更均匀，使从而提升形核能力。此外，还可以减少铺底形核颗粒料的使用，降低铸锭成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全熔高效多晶硅铸锭的方法，其特征在于，包括以下步骤：将混合有石英砂、硅溶胶，及氢氧化钡或氢氧化钙的形核源涂液涂覆在坩埚底部，形成疏松多孔的形核源层；在形核源层上进一步涂覆脱模涂液形成脱模层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。
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