[发明专利]半导体IC内藏基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610346620.X 申请日: 2013-09-22
公开(公告)号: CN106024725B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 露谷和俊;大川博茂;铃木义弘;望月强 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/60;H05K1/18;H05K3/00;H01L21/56;H01L23/495
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中,准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着,将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a),通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a),由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中,在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下,由流入的树脂将半导体IC(120)埋入,因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。
搜索关键词: 半导体 ic 内藏 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体IC内藏基板,其特征在于:具备树脂基板、埋入到所述树脂基板且被薄型化的半导体IC、以及形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层,所述树脂基板包含芯材浸渍于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部,所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂,所述配线层与露出于所述树脂基板的所述一个表面的所述芯部接触,在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层,所述树脂基板的厚度中,所述容纳部比所述芯部薄,由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状,所述配线层的一部分埋入到使所述半导体IC的所述外部端子露出的通孔的内部。
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