[发明专利]一种低衰减单模光纤有效

专利信息
申请号: 201610347146.2 申请日: 2016-05-24
公开(公告)号: CN105911639B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 陈刚;朱继红;王瑞春;汪洪海;拉吉·马泰;艾靓;王洋 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm~7.0μm,相对折射率差Δ1为0.15%~0.35%,所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层,所述的下陷内包层半径R2为7.0μm~12.0μm,下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33%~‑0.05%,所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29%~‑0.05%。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量,在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上,将芯层和包层折射率同时下移,这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗,而且,掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降,芯包层粘度匹配得到进一步改善,这样可以减小拉丝过程产生的内应力,从而也可进一步降低衰减。
搜索关键词: 一种 衰减 单模 光纤
【主权项】:
1.一种低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm~7.0μm,相对折射率差Δ1为0.15%~0.35%,所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层,所述的下陷内包层半径R2为7.0μm~12.0μm,下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33%~‑0.076%,所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29%~‑0.05%。
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