[发明专利]一种自适应抗静电增强保护的智能功率模块在审
申请号: | 201610348167.6 | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN105871190A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 尹曦曦 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫宇鹏电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 朱业刚;谭果林 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种自适应抗静电增强保护的智能功率模块,包括有自适应电路;HVIC管的HO1端、HO2端、HO3端、LO1端、LO2端、LO3端、PFCO端分别与自适应电路的第一输入端、第二输入端、第三输入端、第四输入端、第五输入端、第六输入端、第七输入端连接,自适应电路的第一输出端、第二输出端、第三输出端、第四输出端、第五输出端、第六输出端、第七输出端分别与各IGBT管的栅极相连。本发明尚未上电时,GBT管的栅极具有电连接,减小对栅极的直接电压冲击,提高IGBT管的栅极的抗静电能力;由于运动电场的作用,静电无法积聚,在上电后被静电破坏的机会很低,降低其被静电击穿的几率。 | ||
搜索关键词: | 一种 自适应 抗静电 增强 保护 智能 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种自适应抗静电增强保护的智能功率模块,其特征在于,包括:HVIC管(1101);分别与HVIC管(1101)连接的IGBT管(1121)、IGBT管(1122)、IGBT管(1123)、IGBT管(1124)、IGBT管(1125)、IGBT管(1126)和IGBT管(1127);以及自适应电路(1105);其中,HVIC管(1101)的HO1端与自适应电路(1105)的第一输入端相连,自适应电路(1105)的第一输出端与压机U相上桥臂IGBT管(1121)的栅极相连;HVIC管(1101)的HO2端与自适应电路(1105)的第二输入端相连,自适应电路(1105)的第二输出端与压机V相上桥臂IGBT管(1122)的栅极相连;HVIC管(1101)的HO3端与自适应电路(1105)的第三输入端相连,自适应电路(1105)的第三输出端与压机W相上桥臂IGBT管(1123)的栅极相连;HVIC管(1101)的LO1端与自适应电路1105的第四输入端相连,自适应电路(1105)的第四输出端与IGBT管(1124)的栅极相连;HVIC管(1101)的LO2端与自适应电路1105的第五输入端相连,自适应电路(1105)的第五输出端与IGBT管(1125)的栅极相连;HVIC管(1101)的LO3端与自适应电路(1105)的第六输入端相连,自适应电路(1105)的第六输出端与IGBT管(1126)的栅极相连;HVIC管(1101)的PFCO端与自适应电路(1105)的第七输入端相连,自适应电路(1105)的第七输出端与IGBT管(1127)的栅极相连。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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