[发明专利]抗硫化的内存存储装置有效

专利信息
申请号: 201610348460.2 申请日: 2016-05-24
公开(公告)号: CN105931663B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 張志亮;周明煌 申请(专利权)人: 宇瞻科技股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭露一种抗硫化的内存存储装置,其包含一连接接口单元、多个挥发性内存单元以及一印刷电路板。连接接口单元可用以耦接至一主机系统。印刷电路板可包含多个抗硫化被动组件以及一保护膜,多个抗硫化被动组件可用以控制并传导一电流至多个挥发性内存单元,保护膜可用以覆盖印刷电路板,其中多个抗硫化被动组件可包含一抗硫化电阻及一抗硫化排阻。
搜索关键词: 硫化 内存 存储 装置
【主权项】:
1.一种抗硫化的内存存储装置,其特征在于,所述内存存储装置包含:连接接口单元,用以耦接至主机系统;多个挥发性内存单元;以及印刷电路板,包含多个抗硫化被动组件以及保护膜,所述多个抗硫化被动组件用以控制并传导电流至所述多个挥发性内存单元,所述保护膜用以覆盖所述印刷电路板;其中所述多个抗硫化被动组件包含抗硫化电阻及抗硫化排阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇瞻科技股份有限公司,未经宇瞻科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610348460.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top