[发明专利]变掺杂阳极IGBT结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610348468.9 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107425061B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种变掺杂阳极IGBT结构及其制作方法，IGBT结构包括集电区，其中，集电区包括有源区对应的第一集电区和终端对应的第二集电区，第一集电区的掺杂剂量高于第二集电区的掺杂剂量。由于有源区对应的第一集电区与终端对应的第二集电区的掺杂剂量不相同，第一集电区的掺杂剂量高、空穴注入效率高，而第二集电区的掺杂剂量低、空穴注入效率低，可使得该IGBT结构既能获得良好的导通性能，又具有较高的抗动态雪崩性能。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 掺杂 阳极 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种变掺杂阳极IGBT结构，其特征在于，包括：/n集电区，其中，集电区包括有源区对应的第一集电区和终端对应的第二集电区，第一集电区的掺杂剂量高于第二集电区的掺杂剂量；/n还包括淀积在第一集电区和第二集电区上的金属层，第二集电区与金属层的接触面为向着远离金属层一侧凹陷的凹面，所述凹面位于第二集电区内，所述凹面的横截面为弧线，且所述凹面与水平接触面相交，其中，水平接触面为第一集电区和金属层的接触面。/n
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