[发明专利]一种多晶硅晶体生长炉生长装置及其热源调节方法在审
| 申请号： | 201610348843.X | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN105926036A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈成敏;杨春振;刘光霞;王立秋;许敏;侯延进 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅晶体生长炉生长装置及其热源调节方法，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉内设有顶部加热源及四周加热源，顶部加热源连接调功器一，四周加热源连接调功器二。加热过程，调功器一和调功器二改变顶部加热源与四周加热源的功率比例。本发明利用隔热板一方面可以有效降低加热器的无效热损失，降低系统总能量消耗，另一方面，提高坩埚侧挡板外部的温度，降低坩埚内部径向温度梯度。并且隔热板随着隔热笼的上下移动而转动，经过计算验证，隔热板水平放置时隔热效果最好，随着与水平夹角的变大，隔热效果逐渐变差，满足冷凝过程后期温度梯度的要求，使温度场满足冷凝参数要求的同时减小晶体内容因温差引起的热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 晶体生长 生长 装置 及其 热源 调节 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅晶体生长炉生长装置，其特征在于，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉内设有顶部加热源及四周加热源，所述顶部加热源连接调功器一，所述四周加热源连接调功器二。
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